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黄师傅拿着一块硅晶片板，一脸苦笑的走过来，“和顾先生说的一样，这次的精度测试和之前相同，表面粗糙度都在1纳米以上。”
顾律接过那块硅晶片，放在手中翻转仔细看了一下，然后用手指感受了一下触感，点点头，“应该就是抛光液的原因，正好二氧化铈抛光液已经制备出来了，再上机试一下吧。”
“我想这次，结果肯定会和之前大不相同的。”顾律嘴角上扬，语气中带着无比的自信。
抛光机夹持住硅晶片，接着放入纳米二氧化铈粉末抛光液，最后，按下启动按钮。
机器开始运转。
顾律抱着胳膊，双眼紧盯着仪器。
同时，脑海中不停回忆着在普林斯顿大学图书馆中，看过关于这方面的内容。
在单硅晶片的化学机械抛光过程中，是主要存在化学腐蚀作用和机械磨削作用。
材料的去除，首先源于化学腐蚀作用。一方面，在抛光过程中，硅片表面局部接触点产生高温高压，从而导致一系列复杂的摩擦化学反应。
